株式会社 YGKは 先進技術と人を結ぶ創造企業を目指しています。

ＳｉＣ／ＧａＮ関連ウェハ表面検査装置。
ＳｉＣ表面パーティクルスキャナ デュアルヘッド搭載

ＳｉＣ潜傷の未検出を防ぐ　新開発ＳｉＣ表面パーティクルスキャナ。
従来の表面パーティクル検査装置で検出できないＳｉＣ表面の潜傷を未検出する事なく測定。
透明基板検査可能なＹＰＩ−ＭＸに搭載することで、微小傷欠陥を未検出する事なく測定可能なデュアルセンサ。
３５５ｎｍ（ＵＶ）レーザーと受光センサを直交２軸に配置することで、微小傷欠陥の方向性依存をなくし
ＳｉＣ基板の傷欠陥・潜傷を見落とす事なく検出する事が可能。
４インチＳｉＣウェーハを潜傷検出測定も含めて５分以内に測定。

　　　　
　　　　装置内デュアルセンサ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　測定結果イメージ

　

ＳｉＣに限らず透明ガラスウェーハ、シリコンウェーハ、ＬＴウェーハの測定も可能。
最小検出粒径　０.１μｍ。

ＬＴウェーハ測定結果例

４インチＬＴウェーハであれば２分程度で測定可能。

ハイパワーレーザコントロールに関して

YPI-MX-DC搭載のハイパワーレーザ出力を、弊社独自の制御システム（オートパワーコントロール）によって
一定になるようコントロールし、更に正確な異物検出を実現可能にしています。

装置仕様

スキャン方式

レーザ側方散乱方式、デュアルヘッドセンサ

ワーク設置

マニュアル／自動搬送機

消費電力

ＡＣ１００Ｖ／２００Ｖ　３０Ａ

最小検出粒径

０.１μｍ

再現性

σ／Ｘ≦１０％

測定時間

４インチウェーハを２分以内

検査対象基板

ＳｉＣ／各種透明ガラス基板／Ｓｉウェーハ、ＬＴウェーハ、
各種膜付きウェーハ等

装置外形寸法

Ｗ９００ｍｍ×Ｄ１,０００ｍｍ×Ｈ１,７５７ｍｍ（マニュアル）
Ｗ１,５３０ｍｍ×Ｄ１,２００ｍｍ×Ｈ１,７１５ｍｍ（自動搬送機）

本体重量

約５００ｋｇ（マニュアル）／約１０００ｋｇ（自動搬送機）